金博股份在第三代半导体领域的拓展迎来突破性进展

金博股份在第三代半导体领域的拓展迎来突破性进展。

日前，金博股份发布公告称，基于公司在半导体领域用高纯碳基复合材料的研发应用基础，公司与北京天科合达半导体股份有限公司于4月8日达成战略合作意向并签署了《战略合作协议》，合作期限自协议签订之日起5年。SLC是SingleLevelCell，MLC是MultiLevelCell，TLC是TripleLevelCell，分别是可以在一个存储器单元中写入1位，2位，3位的NAND。另外3DTLC是3DNAND的意思，没有3D的NAND都是2DNAND。。

据介绍，天科合达拥有一个研发中心和三家全资子公司，产业涵盖碳化硅单晶炉制造，碳化硅单晶生长原料制备和碳化硅单晶衬底制备。

协议显示，伴随着第三代半导体行业快速发展，为了加强国内上下游的紧密联系，双方出于长远战略上的考虑，决定共同携手，就高纯热场材料，高纯保温材料，高纯粉体材料在第三代半导体领域的开发和应用，达成深度的战略合作伙伴关系。

具体来看，双方基于在各自材料及应用领域的技术优势，深入开展技术交流与联合研制，共同研发满足第三代半导体领域应用的热场材料，保温材料与粉体材料，以满足天科合达对相关材料的需求金博股份将按照天科合达提出的技术要求，深入研究开发满足天科合达要求的高性价比高纯热场，高纯保温，高纯粉体材料与产品

同时，天科合达给予金博股份第三代半导体用高纯热场，保温，粉体材料及产品开发方向，技术要求方面的指导并配合公司进行产品测试与评估，通过应用效果反馈加快公司产品开发与品质改善进度双方提供新开发相关产品的其他相关技术支持，助力双方在第三代半导体领域相关产品的合作开发

金博股份表示，目前阶段公司的产品主要应用于光伏行业晶硅制造热场系统本次战略框架协议的签署，有利于公司产品在第三代半导体领域的推广和应用

郑重声明：此文内容为本网站转载企业宣传资讯，目的在于传播更多信息，与本站立场无关。仅供读者参考，并请自行核实相关内容。