2024年到2025年开放给客户进行研发并从2025年开始量产

在上月的ITF大会上，半导体行业大脑imec公布的蓝图显示，2025年后晶体管进入埃米尺度，其中2025对应A14，2027年为A10，2029年为A7。

当时imec就表示，除了新晶体管结构，2D材料，还有很关键的一环就是High NAEUV光刻机其透露，0.55NA的下代EUV光刻机一号试做机会在2023年由ASML提供给imec，2026年量产

不过，本月与媒体交流时，ASML似乎暗示这个进度要提前第一台高NA EUV光刻机2023年开放早期访问，2024年到2025年开放给客户进行研发并从2025年开始量产

根据消息显示，相较于当前0.33NA的EUV光刻机，0.55NA有了革命性进步，它能允许蚀刻更高分辨率的图案。。

分析师Alan Priestley称，0.55NA光刻机一台的价格会高达3亿美元，是当前0.33NA的两倍。据悉，2025年后，晶体管微缩化进入埃米尺度，时间节点的规划是，2025年A14(14#8491;=4纳米)，2027年为A10(10#8491;=1nm)，2029年为A7(7#8491;＝0.7纳米)。

早在今年7月，Intel就表态致力于成为高NA光刻机的首个客户，Intel营销副总裁Maurits Tichelman重申了这一说法，并将高NA EUV光刻机视为一次重大技术突破。

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